Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeProduktiRūpnieciski viedie moduļa piederumiDDR3 UDIMM atmiņas moduļa specifikācijas

DDR3 UDIMM atmiņas moduļa specifikācijas

Maksājuma veids:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. Pasūtījums:
1 Piece/Pieces
Transports:
Ocean,Air,Express,Land
  • Produkta apraksts
Overview
Produktu atribūti

Modelis Nr.NSO4GU3AB

Piegādes spēja un papildu informācija

TransportsOcean,Air,Express,Land

Maksājuma veidsL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Iepakošana un piegāde
Vienību pārdošana:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-pin ddr3 udimm


Revīzijas vēsture

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Informācijas tabulas pasūtīšana

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Apraksts
Hengstar Unbuched DDR3 SDRAM DIMM (bez divkāršo datu pārraides ātruma sinhronās dram Dual in-līnijas atmiņas moduļi) ir mazas jaudas, ātrgaitas operācijas atmiņas moduļi, kas izmanto DDR3 SDRAM ierīces. NS04GU3AB ir 512m x 64 bitu divu rangu 4GB DDR3-1600 CL11 1,5 V SDRAM nepamatots DIMM produkts, pamatojoties uz sešpadsmit 256m x 8 bitu FBGA komponentiem. SPD tiek ieprogrammēts JEDEC standarta latentuma DDR3-1600 laikā 11-11-11 pie 1,5 V. Katrā 240 kontaktu DIMM izmanto zelta kontakta pirkstus. SDRAM Unbuffed DIMM ir paredzēts izmantošanai kā galvenā atmiņa, kad to uzstāda tādās sistēmās kā personālie datori un darbstacijas.


Iespējas
Power Piegāde: VDD = 1,5 V (1,425 V līdz 1,575 V)
VDDQ = 1,5 V (1,425 V līdz 1,575 V)
800MHz FCK 1600MB/sek/tapa
8 Neatkarīgā iekšējā banka
Programmējamais CAS latentums: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Programmējamais piedevu latentums: 0, cl - 2 vai cl - 1 pulkstenis
8-bitu priekšnoteikums
Burst garums: 8 (starpnozaru bez jebkādas robežas, secīga ar sākuma adresi tikai “000”), 4 ar tccd = 4, kas neļauj nemanāmi lasīt vai rakstīt [vai nu lidojumā, izmantojot A12 vai MRS]
Bi virziena diferenciālo datu strobe
Pasaules (sevis) kalibrēšana; Iekšējā sevis kalibrēšana caur ZQ PIN (RZQ: 240 omi ± 1%)
on Die pārtraukšana, izmantojot ODT PIN
Visparage atsvaidzes periods 7,8US zemāks par Tcase 85 ° C, 3,9US 85 ° C <tcase <95 ° C
Asinhronā atiestatīšana
Parādāmais datu-izvades piedziņas stiprums
Fly-the topology
PCB: augstums 1,18 ”(30 mm)
RoHs atbilstošs un bez halogēna


Galvenie laika parametri

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Adreses tabula

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Tapu apraksti

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Piezīmes Tapu apraksta tabula Zemāk ir visaptverošs visu iespējamo tapu saraksts visiem DDR3 moduļiem. Visas uzskaitītās tapas var netiek atbalstīts šajā modulī. Informāciju, kas raksturīga šim modulim, skatiet PIN piešķīrumu.


Funkcionālā bloka diagramma

4GB, 512MX64 modulis (X8 2Rank)

1


2


Piezīme:
1. ZQ bumba uz katra DDR3 komponenta ir savienota ar ārēju 240Ω ± 1% rezistoru, kas ir piesaistīts zemei. To izmanto, lai kalibrētu komponenta izbeigšanas un izvades draiveri.



Moduļa izmēri


Skats no priekšas

3

Skats no priekšas

4

Piezīmes:
1. Visi izmēri ir milimetros (collas); Maksimālais/min vai tipisks (tips), kur norādīts.
2.Polerance uz visām izmēriem ± 0,15 mm, ja nav norādīts citādi.
3. Dimensijas diagramma ir paredzēta tikai atsaucei.

Produktu kategorijas : Rūpnieciski viedie moduļa piederumi

Nosūtīt šo piegādātāju
  • *Priekšmets:
  • *Uz:
    Mr. Jummary
  • *E-pasts:
  • *Ziņa:
    Jūsu ziņojumam jābūt no 20 līdz 800 rakstzīmēm
HomeProduktiRūpnieciski viedie moduļa piederumiDDR3 UDIMM atmiņas moduļa specifikācijas
Sūtīt pieprasījumu
*
*

Mājas

Product

Phone

Par mums

Izmeklēšana

Mēs ar jums sazināsimies tūlīt

Aizpildiet vairāk informācijas, lai varētu sazināties ar jums ātrāk

Paziņojums par privātumu: jūsu privātums mums ir ļoti svarīgs. Mūsu uzņēmums sola neatklāt jūsu personisko informāciju nevienai eksponācijai ar skaidrām atļaujām.

Sūtīt